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第三是市场竞争格局的变化，这场肇始于思科，发扬于华为的自研芯片浪潮，现在已经愈演愈烈。自研芯片将会在成本和性能两个维度上赋予厂商极大竞争力。自研芯片是降低成本关键的环节，尤其是在用量非常大的用户板上

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SAMSUNG1_【DDR3DDRIII】免费上门服务



NAND Flash方面，美光2019年主流将向96层3D NAND转移，容量以量产512Gb为主，3月份已基于96层3D NAND推出了美光1300系列SSD和microSD卡产品。至于3D Xpoint技术，即可作为能运算的扩充DRAM，也可以做快速储存需求的NAND扩充替代，美光预计在2019会计年度进行送样，快在2020会计年度量产，将会专注数据中心存储应用。

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