ASML是先的半导体设备厂商，随着工艺技术不断缩，三星在16日宣布5nm极紫外光（EUV）制程开发成功，并传今年将量产6nm，台积电傍晚也宣布推出6nm(N6)制程技术，并预计2020年一季度进入试产。DRAM也即将进入1znm，三星已成功研发出1znm DRAM，并预计于2019 年下半年开始大量生产，DRAM进入1znm节点将需要更精密的EUV设备延续摩尔定律，这离不开对ASML EUV设备的需求。
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根据协议内容，格芯将为安森美制造300mm 晶圆。同时安森美将转移并其功率分离式元件晶圆制造能力至格芯的Fab 10。在此期间，格芯将与客户密切合作，转移多种技术到德国德勒斯登、新加坡和马耳他的300mm的工厂，格芯将继续拥有和营运该设施。
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台积电强调，CoWoS及整合扇出型封装（InFO）仍是2.5D IC封装，为了让芯片效能更强，芯片业花了相当的时间，开发体积小、功能更复杂的3D IC，这项技术需搭配难度更高的硅钻孔（TSV）技术，以及晶圆薄化、导电材质填孔、晶圆连接及散热支持。
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