在消费类市场，慧荣展示的SM2262EN主控芯片是一款高性能的SSD主控芯片，采用4个 8 Gbps 通道 (PCIe Gen3 x4)，内置8个 NAND 通道，搭配上NVMe 1.3 SSD技术，连续读取速度可达3500MB/s，连续写入速度可达3000MB/s，4K随机读取可达420K IOPS，4K随机写入可达420K IOPS。
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三星对相关报导进行回应，表示对第二条产线的第二阶段投资额尚未确定，将视市况而定。据悉，三星西安厂主要用于生产3D NAND，曾在2017年宣布，未来三年将对西安厂投资70亿美元，第二阶段投资将于2019年7月份完成，2020年1季度开始投产。但三星现已表明尚未决定对西安厂二期工厂进行额外投资。
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衡宇携PCIe SSD、eMMC、SD等控制芯片新品亮相Computex2019衡宇在Computex2019上，分别展示了PCIe SSD、eMMC、SD等控制芯片新品，将在2019年下半年推出eMMC SA3635，SSD SA3811，以及uSD SA3309等控制芯片，其中SA3811将于年底量产。
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